Analysis of the low-frequency noise in graded-channel and standard SOI nMOSFET

E. L.R. Da Silva, M. Miguez, M. De Souza, A. Arnaud, M. A. Pavanello

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

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Resumen

In this paper a comparison between the low-frequency noise in graded-channel SOI nMOSFETs (GC SOI MOSFET) and standard fully depleted (FD) SOI nMOSFETs will be presented. The evolution of noise with bias and frequency, mainly in the GC SOI MOSFETs, will be demonstrated. Numerical bidimensional simulations are used to reproduce the same tendencies observed experimentally in order to allow for a physical insight on the noise in GC SOI transistors.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojadaMicroelectronics Technology and Devices, SBMicro 2010
EditorialElectrochemical Society Inc.
Páginas359-366
Número de páginas8
Edición1
ISBN (versión digital)9781607681694
ISBN (versión impresa)9781566778190
DOI
EstadoPublicada - 2010

Serie de la publicación

NombreECS Transactions
Número1
Volumen31
ISSN (versión impresa)1938-5862
ISSN (versión digital)1938-6737

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Analysis of the low-frequency noise in graded-channel and standard SOI nMOSFET'. En conjunto forman una huella única.

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