Consistent model for drain current mismatch in MOSFETs using the carrier number fluctuation theory

H. Klimach, A. Arnaud, M. C. Schneider, C. Galup-Montoro

Producción científica: Contribución a una revistaArtículo de la conferenciarevisión exhaustiva

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Resumen

This paper presents a new approach for accurate MOS transistor matching calculation. Our model, which is based on an accurate physics-based MOSFET model, allows the assessment of mismatch from process parameters and is valid for any operating region. Experimental results taken on a test set of transistors implemented in a 1.2 μm CMOS technology corroborate the theoretical development of this work.

Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)V-113-V-116
PublicaciónProceedings - IEEE International Symposium on Circuits and Systems
Volumen5
EstadoPublicada - 2004
Publicado de forma externa
Evento2004 IEEE International Symposium on Cirquits and Systems - Proceedings - Vancouver, BC
Duración: 23 may. 200426 may. 2004

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Consistent model for drain current mismatch in MOSFETs using the carrier number fluctuation theory'. En conjunto forman una huella única.

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